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MH28D72KTN-10

更新时间： 2024-10-27 20:09:15

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
39页	374K
描述
DDR DRAM Module, 128MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184

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MH28D72KTN-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM184	针数：	184
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.36	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.8 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N184
内存密度：	9663676416 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	7.168 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MH28D72KTN-10 数据手册

Preliminary Spec.

MITSUBISHI LSIs

Some contents are subject to change without notice.

MH28D72KTN-10,-75,-75A

9,663,676,416-BIT (134,217,728-WORD BY 72-BIT) Double Data Rate Synchronous DRAM Module

DESCRIPTION

The MH28D72KTN is 134217728 - word x 72-bit Double

Data Rate(DDR) Synchronous DRAM mounted module.

This consists of 18 industry standard 128M x 4 DDR

Synchronous DRAMs in TSOP with SSTL_2 interface which

achieves very high speed data rate up to 133MHz.

This socket-type memory module is suitable for main

memory in computer systems and easy to interchange or

add modules.

93pin

1pin

FEATURES

Clock Rate

Type name

CL=2 *

CL=2.5 *

100MHz

MH28D72KTN-10

MH28D72KTN-75

100MHz

133MHz

MH28D72KTN-75A

133MHz

* CL = CAS(Read) Latency

144pin

145pin

52pin

53pin

- Utilizes industry standard 128M X 4 DDR Synchronous DRAMs

in TSOP package , industry standard Registered Buffer in

TSSOP package , and industry standard PLL in TSSOP package.

- Vdd=Vddq=2.5v±0.2V

- Double data rate architecture; two data transfers per

clock cycle

- Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/received

with data

- Differential clock inputs (CLK and /CLK)

- data referenced to both edges of DQS

- /CAS latency- 2.0/2.5 (programmable)

- Burst length- 2/4/8 (programmable)

- Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

- 8192 refresh cycles /64ms

184pin

92pin

- Auto refresh and Self refresh

- Row address A0-12 / Column address A0-9,11,12

- SSTL_2 Interface

- Module 1bank Configration

- Burst Type - sequential/interleave(programmable)

- Commands entered on each positive CLK edge

APPLICATION

Main memory unit for PC, PC server, Server, W S.

MIT-DS-0453-0.0

16.Jan.2002

MITSUBISHI ELECTRIC

12 3 4 5 6 7...39

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与MH28D72KTN-10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH28D72KTN-75	MITSUBISHI	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
MH28D72KTN-75A	MITSUBISHI	获取价格	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
MH28FAD	MTRONPTI	获取价格	8 pin DIP, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS/TTL Clock Oscillator
MH28FAD01.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1MHz Min, 80MHz Max, 1MHz Nom,
MH28FAD01.5000MHZ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator,
MH28FAD50.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator,
MH28FAD80.0000MHZ	MTRONPTI	获取价格	HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 1MHz Min, 80MHz Max, 80MHz Nom,
MH28FADFREQ	MTRONPTI	获取价格	CMOS/TTL Output Clock Oscillator, 0.625MHz Min, 67MHz Max, HALF-SIZE, DIP-4
MH28FADFREQ1	MTRONPTI	获取价格	CMOS/TTL Output Clock Oscillator, 0.625MHz Min, 50MHz Max, HALF SIZE, NICKEL HEADER, DIP-4
MH28FADFREQ2	MTRONPTI	获取价格	CMOS/TTL Output Clock Oscillator, 50.001MHz Min, 60MHz Max, HALF SIZE, NICKEL HEADER, DIP-

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