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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 400 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 500 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 400 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MG400J1US11 | TOSHIBA | TRANSISTOR 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG400J1US2 | TOSHIBA | TRANSISTOR 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG400J1US21 | TOSHIBA | TRANSISTOR 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG400J1US41 | TOSHIBA | TRANSISTOR 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG400J1US42 | TOSHIBA | TRANSISTOR 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG400J1US45 | TOSHIBA | TRANSISTOR 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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