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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 400 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2600 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 600 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 100 ns | VCEsat-Max： | 4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MG400Q2YS60A | TOSHIBA | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
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| MG400Q2YS60A | MITSUBISHI | High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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| MG400Q2YS70A | TOSHIBA | TRANSISTOR,IGBT POWER MODULE,HALF BRIDGE,1.2KV V(BR)CES,400A I(C) |
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| MG400V1US51A | MITSUBISHI | HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS |
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| MG400V2YMS3 | TOSHIBA | All SiC MOSFET type |
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| MG400V2YS60A | MITSUBISHI | High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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