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MG400Q2YS70A

更新时间: 2024-01-05 22:31:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 338K
描述
TRANSISTOR,IGBT POWER MODULE,HALF BRIDGE,1.2KV V(BR)CES,400A I(C)

MG400Q2YS70A 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
最大集电极电流 (IC):400 A集电极-发射极最大电压:1200 V
门极-发射极最大电压:20 V元件数量:1
最高工作温度:100 °C最大功率耗散 (Abs):3750 W
子类别:Insulated Gate BIP TransistorsVCEsat-Max:2.7 V
Base Number Matches:1

MG400Q2YS70A 数据手册

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MG400Q2YS70A  
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT  
MG400Q2YS70A  
High Power Switching Applications  
Motor Control Applications  
Integrates a complete half bridge power circuit and fault-signal output circuit in one package.  
(short circuit and over temperature)  
The electrodes are isolated from case.  
Low thermal resistance.  
V
= 2.3 V (typ.)  
CE (sat)  
Equivalent Circuit  
1  
5
6
7
F
F
O
E1/C2  
4
1
OT  
2
3
O
E2  
Signal terminal  
1. G (L)  
2.  
6.  
F
F
(L)  
3. E (L)  
7. E (H)  
4.  
V
D
O
O
5. G (H)  
(H)  
8. Open  
1
2003-09-19  

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