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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 400 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 元件数量： | 1 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MG400J1US51 | TOSHIBA | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG400J2YS40 | TOSHIBA | TRANSISTOR 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG400J2YS50 | TOSHIBA | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG400J2YS60A | TOSHIBA | TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT |
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| MG400J2YS61A | MITSUBISHI | High Power Switching Applications Motor Control Applications |
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| MG400N1US41 | TOSHIBA | TRANSISTOR 400 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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