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MG400J2YS60A

更新时间： 2024-02-11 22:03:54

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东芝 - TOSHIBA		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	189K
描述
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT

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MG400J2YS60A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：	11	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	其他特性：	1SCT2-P WITH BUILT IN FAULT-SIGNAL OUTPUT CKT(FO) AND OVER TEMPERATURE CKT(OT)
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	400 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X11	元件数量：	2
端子数量：	11	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MG400J2YS60A

TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT

MG400J2YS60A(600V/400A 2in1)

High Power Switching Applications

Motor Control Applications

Integrates a complete half bridge power circuit and fault-signal output circuit in one package.

(short circuit and over temperature)

The electrodes are isolated from case.

Low thermal resistance

= 1.8 V (typ.)

CE (sat)

Equivalent Circuit

Ｃ1

E1/C2

Signal terminal

G (L)

G (H)

(L)

E (L)

E (H)

(H)

Open

2002-09-06

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MG400J2YS61A	MITSUBISHI	High Power Switching Applications Motor Control Applications	获取价格
MG400N1US41	TOSHIBA	TRANSISTOR 400 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格
MG400N1US42	TOSHIBA	TRANSISTOR 400 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格
MG400Q1US1	TOSHIBA	TRANSISTOR 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格
MG400Q1US11	TOSHIBA	TRANSISTOR 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格
MG400Q1US2	TOSHIBA	TRANSISTOR 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格