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MG400J1US51

更新时间： 2024-02-20 06:14:04

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数	文件大小	规格书
5页	301K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

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MG400J1US51 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.24
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	400 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	300 ns
门极发射器阈值电压最大值：	8 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	1500 W
最大功率耗散 (Abs)：	1500 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	300 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	400 ns	标称断开时间 (toff)：	200 ns
最大开启时间（吨）：	400 ns	标称接通时间 (ton)：	200 ns
VCEsat-Max：	2.7 V	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MG400J2YS40	TOSHIBA	TRANSISTOR 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格
MG400J2YS50	TOSHIBA	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)	获取价格
MG400J2YS60A	TOSHIBA	TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT	获取价格
MG400J2YS61A	MITSUBISHI	High Power Switching Applications Motor Control Applications	获取价格
MG400N1US41	TOSHIBA	TRANSISTOR 400 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格
MG400N1US42	TOSHIBA	TRANSISTOR 400 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor	获取价格