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MG400J1US45

更新时间: 2024-01-19 06:10:27
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东芝 - TOSHIBA 局域网双极性晶体管功率控制
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1页 47K
描述
TRANSISTOR 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

MG400J1US45 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):400 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间(tf):1000 ns
JESD-30 代码:R-PUFM-X4元件数量:1
端子数量:4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1

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