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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.57 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.125 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG30D2YM1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 A, 250 V, 0.125 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-94C1A, 7 PIN |
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| MG30G1BL2 | TOSHIBA |
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MG30G1BL2 |
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| MG30G1BL3 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-33C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| MG30G1BL4 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| MG30G1JL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 50 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| MG30G2CL3 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 450 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-68A1A, 5 PIN, BIP General |
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| MG30G2DL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 450 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-80A1A, 6 PIN, BIP General |
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| MG30G2DM1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 A, 450 V, 0.205 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-108B1A, 8 PI |
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| MG30G2YK1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG30G2YL1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 A, 450 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-94C1A, 7 PIN, BIP General |
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