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MG30J6ES50

更新时间： 2024-11-24 22:07:39

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
3页	138K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

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MG30J6ES50 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-D21
针数：	21	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	360 ns
门极发射器阈值电压最大值：	8 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-D21	元件数量：	6
端子数量：	21	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	100 W
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	550 ns
标称接通时间 (ton)：	500 ns	VCEsat-Max：	2.7 V
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MWI30-06A7	IXYS	功能相似	IGBT Modules

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MG30M1BN1	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 30 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-33D1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow
MG30M2YK1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG30M2YL1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG30N2YK1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG30N2YL1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG30Q2YK1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG30Q2YL1	ETC	获取价格	TRANSISTOR MODULES
MG30T1AL1	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 30 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-37A1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow
MG30V2YS40	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
MG31	MICRO-ELECTRONICS	获取价格	GREEN LED LAMPS