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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.205 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG30G2YK1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG30G2YL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 450 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-94C1A, 7 PIN, BIP General |
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| MG30G2YM1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 450 V, 0.205 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-94C1A, 7 PIN |
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| MG30G6EL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 450 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-94A1A, 17 PIN, BIP General |
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| MG30G6EL2 | TOSHIBA |
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
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| MG30G6EL9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 450 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-94E1A, 11 PIN, BIP General |
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| MG30H1BL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| MG30H2DM1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 500 V, 0.205 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-108B1A, 8 PI |
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| MG30J6ES11 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG30J6ES50 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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