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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 450 V | 配置： | COMPLEX |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG30G2YM1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 450 V, 0.205 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-94C1A, 7 PIN |
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| MG30G6EL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 450 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-94A1A, 17 PIN, BIP General |
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| MG30G6EL2 | TOSHIBA |
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TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
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| MG30G6EL9 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 450 V, 6 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-94E1A, 11 PIN, BIP General |
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| MG30H1BL1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 550 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| MG30H2DM1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 500 V, 0.205 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-108B1A, 8 PI |
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| MG30J6ES11 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG30J6ES50 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG30M1BN1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-33D1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| MG30M2YK1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
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