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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.57 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.205 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MG30J6ES11 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG30J6ES50 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| MG30M1BN1 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 30 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-33D1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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| MG30M2YK1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG30M2YL1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG30N2YK1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG30N2YL1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG30Q2YK1 | ETC |
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TRANSISTOR MODULES |
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| MG30Q2YL1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MODULES |
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| MG30T1AL1 | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-37A1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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