是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-92F | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.92 | 最大集电极电流 (IC): | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压: | 45 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 70 | JESD-30 代码: | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.2 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 60 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ME4102 | MICRO-ELECTRONICS |
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NPN SIGNAL HIGH GAIN LOW NOISE NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | |
ME4103 | MICRO-ELECTRONICS |
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NPN SIGNAL HIGH GAIN LOW NOISE NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | |
ME431B69V4S123F | MERITEK |
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ME431B69V4S123F | 69.4V Clamp 43V ESD 1-Ch Bi-dir SOD123F | |
ME431U69V4S123F | MERITEK |
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ME431U69V4S123F | 69.4V Clamp 43V ESD 1-Ch Uni-dir SOD123F | |
ME451B72V7S123F | MERITEK |
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ME451B72V7S123F | 72.7V Clamp 45V ESD 1-Ch Bi-dir SOD123F | |
ME451U72V7S123F | MERITEK |
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ME451U72V7S123F | 72.7V Clamp 45V ESD 1-Ch Uni-dir SOD123F | |
ME481B77V4S123F | MERITEK |
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ME481B77V4S123F | 77.4V Clamp 48V ESD 1-Ch Bi-dir SOD123F | |
ME481U77V4S123F | MERITEK |
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ME481U77V4S123F | 77.4V Clamp 48V ESD 1-Ch Uni-dir SOD123F | |
ME481U80S323F | MERITEK |
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ME481U80S323F | 80V Clamp 48V ESD 1-Ch Uni-dir 60pF SOD323F | |
ME4839W | MICRO-ELECTRONICS |
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WHITE SIDE BACKLIGHT FOR LCD DISPLAY |