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ME4101

更新时间: 2024-11-17 22:30:15
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MICRO-ELECTRONICS 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 195K
描述
NPN SIGNAL HIGH GAIN LOW NOISE NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

ME4101 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92F包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):70JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):60 MHz
Base Number Matches:1

ME4101 数据手册

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