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ME4103

更新时间: 2024-09-20 22:30:15
品牌 Logo 应用领域
MICRO-ELECTRONICS 晶体小信号双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 195K
描述
NPN SIGNAL HIGH GAIN LOW NOISE NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

ME4103 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92F包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:40 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):90 MHzBase Number Matches:1

ME4103 数据手册

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