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MDU1517RH

更新时间： 2024-11-19 01:17:11
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美格纳 - MGCHIP /
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6页 751K
描述
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 100.0A, 2.9m(ohm)

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MDU1517RH 数据手册

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May.ꢀ2011.ꢀVersionꢀ1.2ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
                                                                                                                              
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ MagnaChipꢀSemiconductorꢀLtd.  
ꢀ
ꢀ ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
MDU1517  
ꢀ ꢀ SingleꢀNꢁchannelꢀTrenchꢀMOSFETꢀ30V,ꢀ100.0A,ꢀ2.9mꢂ  
GeneralꢀDescriptionꢀ  
Featuresꢀ  
ꢀ
ꢀ
Theꢀ MDU1517ꢀ usesꢀ advancedꢀ MagnaChip’sꢀ MOSFETꢀ  
Technology,ꢀwhichꢀprovidesꢀhighꢀperformanceꢀinꢀonꢁstateꢀ  
resistance,ꢀ fastꢀ switchingꢀ performanceꢀ andꢀ excellentꢀ  
quality.ꢀ ꢀ MDU1517ꢀ isꢀ suitableꢀ deviceꢀ forꢀ DCꢀ toꢀ DCꢀ  
converterꢀandꢀgeneralꢀpurposeꢀapplications.ꢀ  
ꢀ
ꢀꢀ  
ꢀꢀ  
ꢀꢀ  
VDSꢀ=ꢀ30Vꢀ  
IDꢀ=ꢀ100.0Aꢀ@VGSꢀ=ꢀ10Vꢀ  
RDS(ON)ꢀ(MAX)  
<ꢀ2.9mꢀꢀ@VGSꢀ=ꢀ10Vꢀ  
<ꢀ4.4mꢀꢀ@VGSꢀ=ꢀ4.5Vꢀ  
100%ꢀUILꢀTestedꢀ  
ꢀ
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢀꢀ  
ꢀꢀ  
100%ꢀRgꢀTestedꢀ  
ꢀ
Dꢀ Dꢀ Dꢀ Dꢀ  
Dꢀ Dꢀ Dꢀ Dꢀ  
G
Sꢀ Sꢀ Sꢀ Gꢀ  
Gꢀ Sꢀ Sꢀ Sꢀ  
PowerDFN56ꢀ  
AbsoluteꢀMaximumꢀRatingsꢀ(Taꢀ=ꢀ25oC)ꢀ ꢀ  
ꢀ
Characteristicsꢀ  
Symbolꢀ  
Ratingꢀ  
30ꢀ  
Unitꢀ  
Vꢀ  
ꢀ ꢀ DrainꢁSourceꢀVoltageꢀ  
VDSS  
ꢀ
ꢀ ꢀ GateꢁSourceꢀVoltageꢀ  
VGSS  
ꢀ
±20ꢀ  
Vꢀ  
ꢀ TC=25oCꢀ  
100.0ꢀ  
96.0ꢀ  
ꢀ TC=70oCꢀ  
TA=25oCꢀ  
TA=70oCꢀ  
ꢀ ꢀ ContinuousꢀDrainꢀCurrentꢀ(1)  
ꢀ
IDꢀ  
Aꢀ  
Aꢀ  
32.9(3)  
26.2(3)  
100ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ ꢀ PulsedꢀDrainꢀCurrentꢀ  
IDMꢀ  
ꢀ TC=25oCꢀ  
ꢀ TC=70oCꢀ  
TA=25oCꢀ  
TA=70oCꢀ  
73.5ꢀ  
47.0ꢀ  
ꢀ ꢀ PowerꢀDissipationꢀ  
PDꢀ  
Wꢀ  
5.5(3)  
3.5(3)  
ꢀ
ꢀ
ꢀ ꢀ SingleꢀPulseꢀAvalancheꢀEnergyꢀ(2)  
ꢀ
EAS  
ꢀ
187ꢀ  
mJꢀ  
ꢀ ꢀ JunctionꢀandꢀStorageꢀTemperatureꢀRangeꢀ  
TJ,ꢀTstg  
ꢀ
ꢁ55~150ꢀ  
oC  
ꢀ
ꢀ
ThermalꢀCharacteristicsꢀ  
ꢀ
Characteristicsꢀ  
ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁAmbientꢀ(1)  
ThermalꢀResistance,ꢀJunctionꢁtoꢁCaseꢀ  
Symbolꢀ  
RθJA  
RθJC  
Ratingꢀ  
22.7ꢀ  
1.7ꢀ  
Unitꢀ  
ꢀ
ꢀ
oC/Wꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1
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