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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP-14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | 系列： | F |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 19.304 mm | 逻辑集成电路类型： | ACTIVE DELAY LINE |
| 功能数量： | 4 | 抽头/阶步数： | 1 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 输出极性： | TRUE | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 110 mA |
| 可编程延迟线： | NO | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 5 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 7.747 mm |
| 子类别： | Delay Lines | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | TTL |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 总延迟标称（td）： | 5 ns | 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MDU-4F-50 | DATADELAY |
获取价格 |
Multiple Digital Delay Units |
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| MDU-4F-50MC3 | DATADELAY |
获取价格 |
Active Delay Line, 4-Func, 1-Tap, True Output, TTL, |
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| MDU-4F-50ME5 | DATADELAY |
获取价格 |
Active Delay Line, 4-Func, 1-Tap, True Output, TTL, DIP-14 |
|
| MDU-4F-5MC3 | DATADELAY |
获取价格 |
Active Delay Line, 4-Func, 1-Tap, True Output, TTL, |
|
| MDU-4F-5ME5 | DATADELAY |
获取价格 |
Active Delay Line, 4-Func, 1-Tap, True Output, TTL, DIP-14 |
|
| MDU5512 | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
| MDU5512URH | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
| MDU5593S | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
| MDU5593SVRH | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
| MDU5692S | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
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