5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.92 |
| 其他特性： | IN-HOUSE BURN-IN AND THERMAL SHOCK; TEMP. COEFF. SPECIFIED OVER 0 TO 70 DEG. CEL. | 系列： | F |
| JESD-30 代码： | R-XDSO-G16 | 长度： | 22.352 mm |
| 逻辑集成电路类型： | ACTIVE DELAY LINE | 功能数量： | 4 |
| 抽头/阶步数： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出极性： | TRUE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大电源电流（ICC）： | 110 mA | 可编程延迟线： | NO |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 7.112 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 总延迟标称（td）： | 5 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MDU-4F-5ME5 | DATADELAY |
获取价格 |
Active Delay Line, 4-Func, 1-Tap, True Output, TTL, DIP-14 |
|
| MDU5512 | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
| MDU5512URH | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
| MDU5593S | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
| MDU5593SVRH | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
| MDU5692S | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
| MDU5692SVRH | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
| MDU5693 | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
| MDU5693VRH | MGCHIP |
获取价格 |
Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V |
|
| MDU93570 | DIALIGHT |
获取价格 |
110-240 V MICRODRIVERS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
