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MDS500LE3

更新时间： 2024-10-14 14:53:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 321K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETICALLY SEALED, CASE 55ST, 3 PIN

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MDS500LE3 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.63Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：25 A集电极-发射极最大电压：70 V
配置：SINGLE最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MDS500LE3 数据手册

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MDS500L  
500 Watts, 50 Volts, Pulsed  
Avionics 1030 MHz  
PRELIMINARY  
GENERAL DESCRIPTION  
CASE OUTLINE  
55ST Style 1  
The MDS500L is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is  
designed for MODE-S ELM systems in the 1030 MHz frequency band. The  
transistor includes input prematch for broadband performance. The device has  
gold thin-film metallization and diffused ballasting in a hermetically sealed  
package for proven highest MTTF.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Maximum Power Dissipation  
Device Dissipation @25 C1  
833 W  
Maximum Voltage and Current  
Collector to Emitter Voltage (BVces  
)
70 V  
3.5 V  
25 A  
Emitter to Base Voltage (BVebo  
Peak Collector Current (Ic)  
)
Maximum Temperatures  
Storage Temperature  
Operating Junction Temperature  
-65 to +150 C  
+200 C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 C  
SYMBOL CHARACTERISTICS  
TEST CONDITIONS  
MIN TYP MAX UNITS  
Pout  
Pin  
Pg  
Power Out  
Power Input  
Power Gain  
F
= 1030 MHz  
500  
W
W
dB  
%
Vcc = 50 Volts  
PW = Note 2  
DF = Note 2  
70  
8.5  
Collector Efficiency  
Load Mismatch Tolerance  
Pulse Droop  
50  
c
VSWR  
F = 1030 MHz  
F = 1030 MHz  
3:1  
0.8  
Pd1  
dB  
Trise1  
Rise Time  
100  
nSec  
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS @ 25 C  
BVebo  
BVces  
BVcbo  
Ices  
Emitter to Base Breakdown  
Ie = 30 mA  
3.0  
70  
70  
V
V
Collector to Emitter Breakdown Ic = 50 mA  
Collector to Base Breakdown  
Collector to Emitter Leakage  
DC – Current Gain  
Ic = 50 mA  
V
Vce = 50V  
15  
mA  
hFE  
Vce = 5V, Ic = 1.0 A  
20  
jc1  
C/W  
Thermal Resistance  
0.21  
NOTE 1: AT RATED OUTPUT POWER AND PULSE CONDITIONS  
NOTE 2: Burst: 32µSec ON/ 18µSec OFF x 48, repeated at 23mSec  
Rev. A May 2006  
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein. Visit  
our web site at www.microsemi.com or contact our factory direct.  
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