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MD7IC2050NR1

更新时间： 2024-11-18 20:22:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 高功率电源射频微波
页数 文件大小 规格书
24页 584K
描述
Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1880-2100 MHz, 10 W Avg., 28 V

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MD7IC2050NR1 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred包装说明：FLNG,.67"H.SPACE
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.64
Is Samacsys：N其他特性：USABLE AT 1750 TO 2050 MHZ
特性阻抗：50 Ω构造：COMPONENT
增益：28.5 dB最大输入功率 (CW)：28 dBm
JESD-609代码：e3功能数量：2
最大工作频率：2100 MHz最小工作频率：1880 MHz
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：FLNG,.67"H.SPACE
电源：28 V射频/微波设备类型：NARROW BAND HIGH POWER
子类别：RF/Microwave Amplifiers端子面层：Matte Tin (Sn)
最大电压驻波比：5Base Number Matches：1

MD7IC2050NR1 数据手册

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Document Number: MD7IC2050N  
Rev. 0, 8/2009  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF LDMOS Wideband Integrated  
Power Amplifiers  
MD7IC2050NR1  
MD7IC2050GNR1  
MD7IC2050NBR1  
The MD7IC2050N wideband integrated circuit is designed with on-chip  
matching that makes it usable from 1750 - 2050 MHz. This multi - stage  
structure is rated for 26 to 32 Volt operation and covers all typical cellular  
base station modulation formats.  
• Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts,  
IDQ1A = IDQ1B = 30 mA, IDQ2A = 230 mA, VG2B = 1.4 Vdc, Pout = 10 Watts  
Avg., Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%  
Probability on CCDF.  
1880-2100 MHz, 10 W AVG., 28 V  
SINGLE W-CDMA  
RF LDMOS WIDEBAND  
INTEGRATED POWER AMPLIFIERS  
G
(dB)  
PAE  
(%)  
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
Frequency  
2025 MHz  
30.5  
34.7  
8.7  
-37.4  
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 32 Vdc, 2017.5 MHz, 79 Watts CW  
Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout  
CASE 1618-02  
TO-270 WB-14  
PLASTIC  
)
• Stable into a 5:1 VSWR. All Spurs Below -60 dBc @ 20 Watts to 80 Watts  
MD7IC2050NR1  
CW Pout  
• Typical Pout @ 3 dB Compression Point ] 74 Watts CW  
1880 MHz  
CASE 1621-02  
TO-270 WB-14 GULL  
PLASTIC  
• Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts,  
I
DQ1A = IDQ1B = 30 mA, IDQ2A = 230 mA, VG2B = 1.4 Vdc, Pout = 10 Watts  
Avg., Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01%  
Probability on CCDF.  
MD7IC2050GNR1  
G
PAE  
(%)  
Output PAR  
(dB)  
ACPR  
(dBc)  
ps  
Frequency  
1880 MHz  
1900 MHz  
1920 MHz  
(dB)  
30.3  
30.2  
30.1  
35.2  
34.9  
34.8  
8.6  
8.6  
8.7  
-34.9  
-36.3  
-36.9  
CASE 1617-02  
TO-272 WB-14  
PLASTIC  
Features  
MD7IC2050NBR1  
• 100% PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability  
• Production Tested in a Symmetrical Doherty Configuration  
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters  
and Common Source S-Parameters  
• On-Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked)  
• Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with  
Enable/Disable Function (1)  
• Integrated ESD Protection  
• 225°C Capable Plastic Package  
• RoHS Compliant  
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel  
1. Refer to AN1977, Quiescent Current Thermal Tracking Circuit in the RF Integrated Circuit Family and to AN1987, Quiescent Current Control  
for the RF Integrated Circuit Device Family. Go to http://www.freescale.com/rf. Select Documentation/Application Notes - AN1977 or AN1987.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2009. All rights reserved.  
1234567...24

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MD7IC2050NR1_10 FREESCALE

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 		RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MD7IC21100GNR1 FREESCALE

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 		RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MD7IC21100N FREESCALE

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