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MCM69R618ZP6R

更新时间： 2023-01-02 19:00:36

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		信息通信管理静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	141K
描述
64KX18 LATE-WRITE SRAM, 3ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

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MCM69R618ZP6R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	3 ns
其他特性：	BYTE WRITE CONTROL; BOUNDARY SCAN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	1179648 bit
内存集成电路类型：	LATE-WRITE SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	119	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX18	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.4 mm	最小待机电流：	3.15 V
子类别：	SRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

MCM69R618ZP6R 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MCM69R536/D

MCM69R536

MCM69R618

1M Late Write HSTL

The MCM69R536/618 is a 1M–bit synchronous late write fast static RAM

designed to provide high performance in secondary cache, ATM switch,

Telecom, and other high speed memory applications. The MCM69R618

(organized as 64K words by 18 bits) and the MCM69R536 (organized as 32K

words by 36 bits wide) are fabricated in Motorola’s high performance silicon gate

BiCMOS technology.

The differential clock (CK) inputs control the timing of read/write operations of

theRAM. AttherisingedgeofCK, alladdresses, writeenables, andsynchronous

selects are registered. An internal buffer and special logic enable the memory to

accept write data on the rising edge of CK, a cycle after address and control

signals. Read data is driven on the rising edge of CK.

ZP PACKAGE

PBGA

CASE 999–02

The RAM uses HSTL inputs and outputs. The adjustable input trip–point (V

)

ref

and output voltage (V

) gives the system designer greater flexibility in

DDQ

optimizing system performance.

The synchronous write and byte enables allow writing to individual bytes or the

entire word.

The impedance of the output buffers is programmable allowing the outputs to

match the impedance of the circuit traces which reduces signal reflections.

•

Byte Write Control

Single 3.3 V +10%, –5% Operation

HSTL — I/O (JEDEC Standard JESD8–6 Class 1 Compatible)

HSTL — User Selectable Input Trip–Point

HSTL — Compatible Programmable Impedance Output Drivers

Asynchronous Output Enable

Boundary Scan (JTAG) IEEE 1149.1 Compatible

Differential Clock Inputs

Optional x18 or x36 Organization

MCM69R536/618–4.4 = 4.4 ns

MCM69R536/618–5 = 5 ns

MCM69R536/618–6 = 6 ns

MCM69R536/618–7 = 7 ns

•

119–Bump, 50 mil (1.27 mm) Pitch, 14 mm x 22 mm Plastic Ball Grid Array

(PBGA) Package

REV 2

2/24/00

Motorola, Inc. 2000

MOTOROLA FAST SRAM

MCM69R536•MCM69R618

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCM69R618ZP7	MOTOROLA	获取价格	64KX18 LATE-WRITE SRAM, 3.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R618ZP7R	MOTOROLA	获取价格	64KX18 LATE-WRITE SRAM, 3.5ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R618ZP8	NXP	获取价格	64KX18 LATE-WRITE SRAM, 4ns, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R619ZP5R	MOTOROLA	获取价格	Cache SRAM, 64KX18, 2.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R619ZP6	MOTOROLA	获取价格	64KX18 CACHE SRAM, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R619ZP6R	MOTOROLA	获取价格	Cache SRAM, 64KX18, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R619ZP7	MOTOROLA	获取价格	Cache SRAM, 64KX18, 3.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R619ZP7R	MOTOROLA	获取价格	Cache SRAM, 64KX18, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R619ZP8R	MOTOROLA	获取价格	Cache SRAM, 64KX18, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
MCM69R620ZP5R	MOTOROLA	获取价格	Cache SRAM, 64KX18, 2.5ns, BICMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119

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