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MCM63Z919ZP8.5

更新时间： 2024-11-21 03:33:35

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
32页	358K
描述
512KX18 ZBT SRAM, 8.5ns, PBGA119, PLASTIC, BGA-119

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MCM63Z919ZP8.5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	BGA,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	8.5 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e0
长度：	22 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm

MCM63Z919ZP8.5 数据手册

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by MCM63Z837/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

MCM63Z837

MCM63Z919

Advance Information

256K x 36 and 512K x 18 Bit

Flow–Through ZBT RAM

Synchronous Fast Static RAM

The ZBT RAM is an 8M–bit synchronous fast static RAM designed to provide

Zero Bus Turnaround . The ZBT RAM allows 100% use of bus cycles during

back–to–back read/write and write/read cycles. The MCM63Z837 (organized as

256K words by 36 bits) and the MCM63Z919 (organized as 512K words by 18

bits) are fabricated in Motorola’s high performance silicon gate CMOS

technology. This device integrates input registers, a 2–bit address counter, and

high speed SRAM onto a single monolithic circuit for reduced parts count in

communication applications. Synchronous design allows precise cycle control

with the use of an external clock (CK). CMOS circuitry reduces the overall power

consumption of the integrated functions for greater reliability.

TQ PACKAGE

TQFP

CASE 983A–01

ZP PACKAGE

PBGA

CASE 999–02

Addresses (SA), data inputs (DQ), and all control signals except output enable

(G), sleep mode (ZZ), and linear burst order (LBO) are clock (CK) controlled

through positive–edge–triggered noninverting registers.

Write cycles are internally self–timed and are initiated by the rising edge of the

clock (CK) input. This feature eliminates complex off–chip write pulse generation

and provides increased timing flexibility for incoming signals.

For read cycles, a flow–through SRAM allows output data to simply flow freely

from the memory array.

•

3.3 V LVTTL and LVCMOS Compatible

MCM63Z837/918–7.0 = 7 ns Access/8.5 ns Cycle (117 MHz)

MCM63Z837/918–7.5 = 7.5 ns Access/10 ns Cycle (100 MHz)

MCM63Z837/918–8 = 8 ns Access/10.5 ns Cycle (95 MHz)

MCM63Z837/918–8.5 = 8.5 ns Access/11 ns Cycle (90 MHz)

MCM63Z837/918–10 = 10 ns Access/15 ns Cycle (66 MHz)

Selectable Burst Sequencing Order (Linear/Interleaved)

Internally Self–Timed Write Cycle

Sleep Mode (ZZ)

Single–Cycle Deselect

Byte Write Control

ADV Controlled Burst

•

IEEE 1149–1 Sample Only JTAG

100–Pin TQFP and 119–Bump PBGA Packages

ZBT and Zero Bus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc., and the architecture is supported by

Micron Technology, Inc. and Motorola, Inc.

This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.

REV 1

6/3/99

Motorola, Inc. 1999

MOTOROLA FAST SRAM

MCM63Z837•MCM63Z919

12 3 4 5 6 7...32

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCM63Z919ZP8R	MOTOROLA	获取价格	512KX18 ZBT SRAM, 8ns, PBGA119, PLASTIC, BGA-119
MCM63Z936TQ8	MOTOROLA	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
MCM63Z936TQ8R	MOTOROLA	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
MCM63Z936ZP7R	MOTOROLA	获取价格	ZBT SRAM, 512KX36, 7ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119
MCM6410060	MOTOROLA	获取价格	Fast Page DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
MCM64100-60	MOTOROLA	获取价格	Memory IC
MCM6410070	MOTOROLA	获取价格	1MX64 FAST PAGE DRAM MODULE, 70ns, DMA168, DIMM-168
MCM64100-70	MOTOROLA	获取价格	Memory IC
MCM64400	MOTOROLA	获取价格	Memory IC
MCM6440060	MOTOROLA	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168

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