Datasheet > MCM6264CP20

MCM6264CP20

更新时间： 2024-02-16 10:35:25

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		/
页数	文件大小	规格书
8页	181K
描述
8K x 8 Bit Fast Static RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MCM6264CP20 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.3	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.81
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	34.67 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.57 mm	最大待机电流：	0.02 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.13 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

MCM6264CP20 数据手册

Order this document

by MCM6264C/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

MCM6264C

8K x 8 Bit Fast Static RAM

TheMCM6264CisfabricatedusingMotorola’shigh–performancesilicon–gate

CMOS technology. Static design eliminates the need for external clocks or timing

strobes, while CMOS circuitry reduces power consumption and provides for

greater reliability.

This device meets JEDEC standards for functionality and pinout, and is avail-

able in plastic dual–in–line and plastic small–outline J–leaded packages.

P PACKAGE

300 MIL PLASTIC

CASE 710B–01

•

Single 5 V ± 10% Power Supply

Fully Static — No Clock or Timing Strobes Necessary

Fast Access Times: 12, 15, 20, 25, and 35 ns

Equal Address and Chip Enable Access Times

Output Enable (G) Feature for Increased System Flexibility and to

Eliminate Bus Contention Problems

J PACKAGE

300 MIL SOJ

CASE 810B–03

•

Low Power Operation: 110 – 150 mA Maximum AC

Fully TTL Compatible — Three State Output

PIN ASSIGNMENT

BLOCK DIAGRAM

A12

A11

MEMORY MATRIX

256 ROWS x 32

x 9 COLUMNS

ROW

DECODER

A10

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ0

A11

DQ1

DQ2

DQ0

COLUMN I/O

INPUT

DATA

CONTROL

COLUMN DECODER

DQ3

DQ7

A0 A1 A6 A10 A12

PIN NAMES

A0 – A12 . . . . . . . . . . . . . Address Input

DQ0 – DQ7 . . . Data Input/Data Output

W . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Write Enable

G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Output Enable

E1, E2 . . . . . . . . . . . . . . . . . Chip Enable

. . . . . . . . . . . Power Supply (+ 5 V)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ground

REV 2

5/95

Motorola, Inc. 1995

MOTOROLA FAST SRAM

MCM6264C

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与MCM6264CP20相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCM6264CP25	MOTOROLA	获取价格	8K x 8 Bit Fast Static RAM
MCM6264CP35	MOTOROLA	获取价格	8K x 8 Bit Fast Static RAM
MCM6264J55	MOTOROLA	获取价格	8KX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
MCM6264NJ35R2	MOTOROLA	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
MCM6264NJ45	MOTOROLA	获取价格	8KX8 STANDARD SRAM, 45ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
MCM6264NJ45R2	MOTOROLA	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
MCM6264NJ55	MOTOROLA	获取价格	8KX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
MCM6264NJ55R2	MOTOROLA	获取价格	8KX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
MCM6264P15	MOTOROLA	获取价格	8KX8 STANDARD SRAM, 15ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
MCM6264P20	MOTOROLA	获取价格	8KX8 STANDARD SRAM, 20ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

与MCM6264CP20相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

8
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

14

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MCM6264CP20

MCM6264CP20 技术参数

MCM6264CP20 数据手册

与MCM6264CP20相关器件

与MCM6264CP20相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MCM6264CP20

MCM6264CP20 技术参数

MCM6264CP20 数据手册

与MCM6264CP20相关器件

与MCM6264CP20相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？