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MCM6264J55

更新时间: 2024-11-01 15:41:11
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 149K
描述
8KX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

MCM6264J55 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ28,.44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.85最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e0长度:18.42 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.75 mm
最大待机电流:0.005 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.08 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

MCM6264J55 数据手册

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