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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | NIBBLE MODE DRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5 V | 刷新周期： | 256 |
| 子类别： | DRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MCM6257P10DS | MOTOROLA |
获取价格 |
Nibble Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, PDIP16 |
|
| MCM6257P12D | MOTOROLA |
获取价格 |
Nibble Mode DRAM, 256KX1, 120ns, MOS, PDIP16 |
|
| MCM6257P12DS | MOTOROLA |
获取价格 |
IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,DIP,16PIN,PLASTIC |
|
| MCM6264BNJ15 | MOTOROLA |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDSO28 |
|
| MCM6264BNJC25 | MOTOROLA |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDSO28 |
|
| MCM6264BNJC35 | MOTOROLA |
获取价格 |
IC,SRAM,8KX8,CMOS,SOJ,28PIN,CERAMIC |
|
| MCM6264BP45 | MOTOROLA |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, PDIP28 |
|
| MCM6264BPC35 | MOTOROLA |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDIP28 |
|
| MCM6264C | MOTOROLA |
获取价格 |
8K x 8 Bit Fast Static RAM |
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| MCM6264CJ12 | MOTOROLA |
获取价格 |
8K x 8 Bit Fast Static RAM |
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