是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOJ, SOJ32,.44 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 35 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20.96 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ32,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.75 mm |
最大待机电流: | 0.000015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MCM6249WJ35R2 | MOTOROLA |
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1M x4 Bit Static Random Access Memory | |
MCM6257L10D | MOTOROLA |
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IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MCM6257L10DS | MOTOROLA |
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Nibble Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, CDIP16 | |
MCM6257L12 | MOTOROLA |
获取价格 |
IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MCM6257L12D | MOTOROLA |
获取价格 |
IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MCM6257L15 | MOTOROLA |
获取价格 |
IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MCM6257L15DS | MOTOROLA |
获取价格 |
IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,DIP,16PIN,CERAMIC | |
MCM6257P10 | MOTOROLA |
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Nibble Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, PDIP16 | |
MCM6257P10D | MOTOROLA |
获取价格 |
Nibble Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, PDIP16 | |
MCM6257P10DS | MOTOROLA |
获取价格 |
Nibble Mode DRAM, 256KX1, 100ns, MOS, PDIP16 |