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MCM218165BVT70R

更新时间: 2024-01-02 11:11:09
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 434K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44

MCM218165BVT70R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:20.955 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

MCM218165BVT70R 数据手册

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BLOCK DIAGRAM  
W
CAS  
LCAS  
UCAS  
CONTROL  
LOGIC  
DATA IN BUFFER  
DQ1  
DQ16  
NO. 2 CLOCK  
GENERATOR  
DATA OUT  
BUFFER  
G
COLUMN  
DECODER  
COLUMN  
ADDRESS  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
BUFFERS (10)  
1024  
•  
REFRESH  
CONTROLLER  
SENSE AMPLIFIERS  
I/O GATING  
1024 x 16  
•  
REFRESH  
COUNTER  
MEMORY  
ARRAY  
1024 x 1024 x 16  
A6  
A7  
A8  
A9  
1024  
ROW  
ADDRESS  
BUFFERS (10)  
V
V
CC  
SS  
NO. 1 CLOCK  
GENERATOR  
RAS  
MCM218165BV  
3
MOTOROLA DRAM  

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