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MCM218165BVT70R

更新时间: 2024-01-22 20:25:02
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 434K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44

MCM218165BVT70R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:20.955 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

MCM218165BVT70R 数据手册

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PIN ASSIGNMENTS  
400 MIL SOJ  
400 MIL TSOP II  
V
1
2
3
4
5
50  
49  
48  
47  
46  
V
SS  
CC  
V
1
2
42  
41  
V
SS  
CC  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ1  
DQ16  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
3
4
5
6
7
40  
39  
38  
37  
36  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
V
6
45  
44  
43  
42  
41  
40  
V
SS  
CC  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
NC  
7
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
NC  
8
V
V
SS  
CC  
9
10  
11  
DQ5  
DQ6  
DQ12  
DQ11  
8
35  
DQ7  
DQ8  
9
34  
33  
DQ10  
DQ9  
NC  
NC  
15  
16  
36  
35  
NC  
10  
LCAS  
NC  
NC  
11  
12  
32  
31  
NC  
W
RAS  
NC  
NC  
A0  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
UCAS  
G
LCAS  
A9  
A8  
W
RAS  
NC  
13  
14  
15  
30  
29  
28  
UCAS  
G
A7  
A1  
A6  
A9  
A2  
A5  
A3  
A4  
NC  
A0  
A1  
16  
17  
18  
27  
26  
25  
A8  
A7  
A6  
V
V
SS  
CC  
A2  
A3  
19  
20  
21  
24  
23  
22  
A5  
A4  
V
V
SS  
CC  
MCM218165BV  
2
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