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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 45 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP20,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MCM2301 | MCC |
获取价格 |
Tape&Reel:3Kpcs/Reel; |
|
| MCM2301C-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| MCM24AAF | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 600V V(RRM) |
|
| MCM24AAW | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 600V V(RRM) |
|
| MCM24ABF | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 600V V(RRM) |
|
| MCM24ABW | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 600V V(RRM) |
|
| MCM24ACW | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 600V V(RRM) |
|
| MCM24ADF | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 600V V(RRM) |
|
| MCM24ADW | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 600V V(RRM) |
|
| MCM24AFF | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 600V V(RRM) |
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