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MCM218165BVJ70

更新时间: 2024-02-21 15:00:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 434K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42

MCM218165BVJ70 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SOJ,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-J42长度:27.31 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:42
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:3.75 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

MCM218165BVJ70 数据手册

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BLOCK DIAGRAM  
W
CAS  
LCAS  
UCAS  
CONTROL  
LOGIC  
DATA IN BUFFER  
DQ1  
DQ16  
NO. 2 CLOCK  
GENERATOR  
DATA OUT  
BUFFER  
G
COLUMN  
DECODER  
COLUMN  
ADDRESS  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
BUFFERS (10)  
1024  
•  
REFRESH  
CONTROLLER  
SENSE AMPLIFIERS  
I/O GATING  
1024 x 16  
•  
REFRESH  
COUNTER  
MEMORY  
ARRAY  
1024 x 1024 x 16  
A6  
A7  
A8  
A9  
1024  
ROW  
ADDRESS  
BUFFERS (10)  
V
V
CC  
SS  
NO. 1 CLOCK  
GENERATOR  
RAS  
MCM218165BV  
3
MOTOROLA DRAM  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MCM218165BVJ70R MOTOROLA EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42

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