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MCM218165BVT60R

更新时间： 2024-02-10 11:57:34

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MCM218165BVT60R 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	50
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.4
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	20.955 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MCM218165BVT70	MOTOROLA	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44	获取价格
MCM218165BVT70R	MOTOROLA	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44	获取价格
MCM21L14BVBE45	MOTOROLA	IC,SRAM,1KX4,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC	获取价格
MCM21L14BVBS45	MOTOROLA	Standard SRAM, 1KX4, 450ns, MOS, CDIP18	获取价格
MCM21L14C45	MOTOROLA	IC,SRAM,1KX4,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC	获取价格
MCM21L14L20	MOTOROLA	IC,SRAM,1KX4,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC	获取价格