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MCM218165BVJ70R

更新时间： 2024-01-23 00:58:24

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	434K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42

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MCM218165BVJ70R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOJ,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-J42	长度：	27.31 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	42
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	3.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

MCM218165BVJ70R 数据手册

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by MCM218165BV/D

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

1M x 16

Advance Information

MCM218165BV

16M CMOS Wide DRAM Family

EDO

EDO, 1M x 16, and 1K Refresh

1024 Cycle Refresh

The family of 16M Dynamic RAMs is fabricated using 0.4µ CMOS

high–speed silicon–gate process technology. It includes devices organized as

1,048,576 sixteen–bit words. Advanced circuit design and fine line processing

provide high performance, improved reliability, and low cost.

The MCM218165BV is designed to operate from a single 3.3 V only power

supply.

These devices are packaged in a standard 400 mil J–lead small outline

package (SOJ) and a standard 400 mil thin–small–outline package (TSOP II).

J PACKAGE

400 MIL SOJ

CASE 986B–01

•

Single 3.3 V ± 0.3 V Power Supply

Extended Data Out (EDO) Page Mode Access

LVTTL–Compatible Inputs and Outputs (V

2 CAS Byte Control

RAS–Only Refresh

CAS Before RAS Refresh

Hidden Refresh

1024 Cycle Refresh: 16 ms

= 3.3 V)

T PACKAGE

400 MIL TSOP II

CASE 985A–01

Fast Access Time (t

RAC

MCM218165BV–60 = 60 ns (Max)

MCM218165BV–70 = 70 ns (Max)

•

Low Active Power Dissipation: 990/935 mW (Max)

Low Standby Power Dissipation: 1.8 mW (Max)

PIN NAMES

A0 – A9 . . . . . . . . . . . . . . . Address Input UCAS, LCAS . . Column Address Strobe

DQ1 – DQ16 . . . . . . . Data Input/Output

G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Output Enable

. . . . . . . . . . Power Supply (+ 3.3 V)

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ground

W . . . . . . . . . . . . . . . . Read/Write Enable NC . . . . . . . . . . . . . . . . . . No Connection

RAS . . . . . . . . . . . . Row Address Strobe

This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.

12/19/96

Motorola, Inc. 1996

MOTOROLA DRAM

MCM218165BV

12 3 4 5 6 7...28

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与MCM218165BVJ70R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MCM218165BVT60	MOTOROLA	1MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44	获取价格
MCM218165BVT60R	MOTOROLA	1MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44	获取价格
MCM218165BVT70	MOTOROLA	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44	获取价格
MCM218165BVT70R	MOTOROLA	EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44	获取价格
MCM21L14BVBE45	MOTOROLA	IC,SRAM,1KX4,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC	获取价格
MCM21L14BVBS45	MOTOROLA	Standard SRAM, 1KX4, 450ns, MOS, CDIP18	获取价格

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