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MCM218165BVJ70R

更新时间： 2024-02-12 23:31:39
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 434K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42

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MCM218165BVJ70R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SOJ,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：70 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-J42长度：27.31 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：42
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：3.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

MCM218165BVJ70R 数据手册

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DC OPERATING CONDITIONS AND CHARACTERISTICS  
(V  
= 3.3 V ± 0.3 V, T = 0 to 70°C, Unless Otherwise Noted)  
CC  
A
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (All Voltages Referenced to V  
)
SS  
Parameter  
Supply Voltage (Operating Voltage Range)  
Logic High Voltage, All Inputs  
Symbol  
Min  
3.0  
Typ  
3.3  
—
Max  
Unit  
V
5 V  
5 V  
5 V  
V
CC  
3.6  
V
IH  
2.0  
V
+ 0.3  
V
CC  
Logic Low Voltage, All Inputs  
V
IL  
– 0.3  
—
0.8  
V
DC CHARACTERISTICS AND SUPPLY CURRENTS (All Voltages Referenced to V  
)
SS  
MCM218165BV–60 MCM218165BV–70  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Min  
Max  
Unit  
Notes  
Power Supply Current  
(RAS, LCAS, UCAS Cycling, t  
I
—
180  
—
170  
mA  
1, 2  
CC1  
CC2  
= min)  
RC  
Power Supply Current (Standby)  
I
mA  
(TTL Interface RAS, CAS = V  
Data Out = High–Z)n  
,
IH  
—
2
—
2
(CMOS Interface RAS, CAS ≥ V  
Data Out = High–Z)n  
– 0.2 V,  
CC  
—
—
0.5  
—
—
0.5  
Power Supply Current During RAS–Only Refresh Cycles  
(RAS Cycling, CAS = V , t = Min)  
I
180  
170  
mA  
2
CC3  
IH RC  
Power Supply Current During EDO Page Mode Cycle (t  
= Min)  
I
I
—
—
100  
180  
—
—
90  
mA  
mA  
1, 3  
PC  
Power Supply Current During CAS Before RAS Refresh Cycle  
(t = Min, RAS, CAS Cycling)  
CC4  
170  
CC5  
RC  
Input Leakage Current (0 V ≤ V ≤ V  
in  
)
I
– 5  
– 5  
2.4  
—
5
5
– 5  
– 5  
2.4  
—
5
5
µA  
µA  
V
CC  
lkg(I)  
Output Leakage Current (0 V ≤ V  
≤ V , Data Out = Disable)  
I
lkg(O)  
out  
CC  
Output High Voltage (I  
= – 5 mA)  
V
—
0.4  
—
0.4  
OH  
= 4.2 mA)  
OH  
Output Low Voltage (I  
NOTES:  
V
V
OL  
OL  
1. I  
depends on the output load condition when the device is selected. I max is specified at the ouput open condition.  
CC  
CC  
2. Address may be changed once or less while RAS = V  
IL  
3. Address may be changed once or less while LCAS and UCAS = V  
4. All V  
.
.
IL  
and V  
pins will be supplied with the same voltage.  
SS  
CC  
CAPACITANCE (f = 1.0 MHz, T = 25°C, V  
= 3.3 V ± 0.3 V, Periodically Sampled Rather Than 100% Tested)  
A
CC  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Notes  
Input Capacitance  
A0 – A9  
G, RAS, UCAS, LCAS, W  
DQ1 – DQ16  
C
5
7
7
pF  
1
in  
Input/Output Capacitance  
NOTES:  
C
pF  
1, 2  
I/O  
1. Capacitance measured with a Boonton Meter or effective capacitance calculated from the equation: C = I ∆t/∆V.  
2. LCAS and UCAS = V to disable data out.  
IH  
MCM218165BV  
5
MOTOROLA DRAM  
12345678...28

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与MCM218165BVJ70R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCM218165BVT60 MOTOROLA

获取价格

 		1MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44
MCM218165BVT60R MOTOROLA

获取价格

 		1MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44
MCM218165BVT70 MOTOROLA

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44
MCM218165BVT70R MOTOROLA

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44
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 		IC,SRAM,1KX4,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC
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 		IC,SRAM,1KX4,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC
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 		Standard SRAM, 1KX4, 450ns, MOS, CDIP18
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 		Standard SRAM, 1KX4, 200ns, MOS, PDIP18

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