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MCM218165BVJ70R PDF预览

MCM218165BVJ70R

更新时间： 2024-01-09 12:13:05
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 434K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 70ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42

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MCM218165BVJ70R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SOJ,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：70 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-J42长度：27.31 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：42
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：3.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

MCM218165BVJ70R 数据手册

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TRUTH TABLE  
Addresses  
Function  
RAS  
LCAS  
UCAS  
W
X
G
X
L
DQx  
Notes  
Row  
Column  
Standby  
H
L
L
H
X
H
X
X
X
High–Z  
Read: Word  
Read: Lower Byte  
L
L
L
H
H
Row  
Row  
Column Data Out  
H
L
Column Lower Byte: Data Out  
Upper Byte: High–Z  
Read: Upper Byte  
L
H
L
H
L
Row  
Column Lower Byte: High–Z  
Upper Byte: Data Out  
Write: Word (Early Write)  
Write: Lower Byte (Early)  
L
L
L
L
L
L
L
X
X
Row  
Row  
Column Data In  
H
Column Lower Byte: Data In  
Upper Byte High–Z  
Write: Upper Byte (Early)  
Read–Write  
L
H
L
L
L
L
X
Row  
Column Lower Byte: High–Z  
Upper Byte: Data In  
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
H
L
L
H
Row  
Row  
N/A  
Row  
N/A  
Row  
N/A  
Row  
Row  
Row  
X
Column Data Out, Data In  
Column Data Out  
1, 2  
2
EDO Page Mode  
Read  
1st Cycle  
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
H
H
L
L
L
2nd Cycle  
1st Cycle  
2nd Cycle  
1st Cycle  
2nd Cycle  
Read  
Column Data Out  
2
EDO Page Mode  
Write  
X
X
Column Data In  
1
L
Column Data In  
1
EDO Page Mode  
Read Write  
H
H
L
L
L
L
H
H
Column Data Out, Data In  
Column Data Out, Data In  
Column Data Out  
1, 2  
1, 2  
2
Hidden Refresh  
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
X
X
X
Write  
Column Data In  
1, 3  
RAS–Only Refresh  
H
L
H
L
X
X
N/A  
X
High–Z  
High–Z  
CAS Before RAS Refesh  
NOTES:  
H
L
4
1. These write cycles may also be byte write cycles (either LCAS or UCAS active).  
2. These read cycles may also be byte read cycles (either LCAS or UCAS active).  
3. Early write only.  
4. At least one of the two CAS signals must be active (LCAS or UCAS).  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (See Note)  
This device contains circuitry to protect the  
inputs against damage due to high static volt-  
ages or electric fields; however, it is advised  
that normal precautions be taken to avoid  
application of any voltage higher than maxi-  
mum rated voltages to this high–impedance  
circuit.  
Rating  
Power Supply Voltage  
Symbol  
Value  
– 0.5 to 4.6  
– 0.5 to 4.6  
50  
Unit  
V
3.3 V  
3.3 V  
V
CC  
Voltage Relative to V  
Data Out Current  
Power Dissipation  
V , V  
in out  
V
SS  
I
mA  
W
out  
P
D
1.0  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
T
0 to + 70  
– 55 to + 125  
°C  
°C  
A
T
stg  
NOTE: Permanent device damage may occur if ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS are  
exceeded. Functional operation should be restricted to RECOMMENDED OPER-  
ATING CONDITIONS. Exposure to higher than recommended voltages for  
extended periods of time could affect device reliability.  
MCM218165BV  
4
MOTOROLA DRAM  
1234567...28

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与MCM218165BVJ70R相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MCM218165BVT60 MOTOROLA 1MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44

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MCM218165BVT60R MOTOROLA 1MX16 EDO DRAM, 60ns, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44

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