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MCCD2004S

更新时间： 2024-11-25 22:46:19

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		整流二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	267K
描述
350 mW High Voltage Switching Diode 240 Volts

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MCCD2004S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SOT-23, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	3	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
最大功率耗散：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	300 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

MCCD2004S 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

MCCD2004S

ꢀ

)HDWXUHVꢀ

350 mW High Voltage

Switching Diode

240 Voltsꢀ

•

Surface Mount SOT-23 Package

Capable of 350mWatts of Power Dissipation

Suited For Applications Requiring High Voltage Capability

Marking Code: DB6

0D[LPXPꢀ5DWLQJV

Storage Temperature: -55^oC to +150^oC

Operating Temperature: -55^oC to +150^oC

SOT-23

Typical Thermal Resistance: 357^oC/W Junction to Ambient

Rating

Symbol

V_R

Value

240

Unit

Continuous Reverse Voltage

Peak Repetitive Reverse Voltage

Rectified Current

V_RRM

I_O

300

200

Continuous Forward Current

Repetitive Peak Forward Current

Forward Surge Current t_P=1ms

Forward Surge Current t_P=1s

Total Power Dissipation @T_A=25°C

I_F

225

I_FRM

I_FSM

P_D

625

DIMENSIONS

INCHES

MIN

4000

1000

350

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.100

1.12

.180

.51

.085

.37

Ratings

Symbol

Value

Test Condition

Suggested Solder

Pad Layout

Maximum Forward

Voltage

V_F

I_R

1.0 V

I_F= 100mA

.031

.800

Maximum Reverse

Current

100 nA

100 A

V_R=240V

.035

.900

V_R=240V,T_A=150^oC

.079

2.000

Minimum Reverse

Breakdown Voltage

inches

V_(BR)

C_T

t_rr

300 V

5.0 pF

50 ns

I_R=100 A

Maximum Junction

Capacitance

V_R=0,f=1MHz

.037

.950

Maximum Reverse

Recovery Time

I_F=I_R=30mA, Rec. to

3.0mA, R_L

.037

.950

www.mccsemi.com

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