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MCCD2004-TP

更新时间： 2024-11-26 20:00:39

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美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
4页	750K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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技术参数
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MCCD2004-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.74
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

MCCD2004-TP 数据手册

M C C

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

MCCD2004

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

•

Advanced trench MOSFET process technology

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Dual N-Channel

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Power MOSFET

Moisture Sensitivity Level 1

Marking:2004

Maximum Ratings @ 25^OC Unless Otherwise Specified

DFN2030-6

Symbol

Parameter

Rating

Unit

V_DS

Drain-source Voltage

I_D

Drain Current-Continuous

Pulsed Drain Current (note1)

Gate-source Voltage

I_DM

V_GS

ꢀ

Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

R/W

R_E

125

T_J

-55 to +150

T_STG

Notes:

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by junction temperature.

Equivalent Circuit

Dimensions

INCHES

MIN

DIM

NOTE

MAX

.032

MIN

0.700

MAX

0.800

0.028

0.203REF.

0.050

0.008REF.

0.000

1.950

2.950

1.400

1.600

0000

0.077

0.116

0.002

0.081

0.120

2.050

3.050

1.600

1.800

0.300

0.055

0.063

0.071

0.008

0.012

0.200

0.300

---

0.400

0.018

0.026

0.500TYP.

0.020TYP.

www.mccsemi.com

1 of 4

Revision: A

2016/02/03

12 3 4

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