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MC16S044T3BTN12R

更新时间: 2024-09-15 15:40:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 1645K
描述
4MX4 SYNCHRONOUS DRAM, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP-44

MC16S044T3BTN12R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:18.41 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

MC16S044T3BTN12R 数据手册

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