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MC16S084M3C10

更新时间: 2024-11-06 05:25:59
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 1808K
描述
Synchronous DRAM, 2MX8, 8ns, CMOS, PDSO44

MC16S084M3C10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP44(UNSPEC)Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:8 ns
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
端子数量:44字数:2097152 words
字数代码:2000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP44(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096连续突发长度:1,2,4,8
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MC16S084M3C10 数据手册

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