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MBRT40020_THRU_MBRT40040R

更新时间： 2024-09-14 12:05:03
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Silicon Power Schottky Diode

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MBRT40020_THRU_MBRT40040R 数据手册

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MBRT40020 thru MBRT40040R  
VRRM = 20 V - 100 V  
IF = 400 A  
Silicon Power  
Schottky Diode  
Features  
• High Surge Capability  
• Types up to 100 V VRRM  
• Isolation Type Package  
Three Tower Package  
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)  
Conditions  
MBRT40035 (R) MBRT40040 (R)  
Unit  
Parameter  
Symbol  
MBRT40020 (R) MBRT40030 (R)  
VRRM  
VRMS  
VDC  
IF  
35  
25  
40  
28  
Repetitive peak reverse voltage  
RMS reverse voltage  
20  
14  
30  
21  
V
V
V
A
35  
40  
DC blocking voltage  
20  
30  
TC ≤ 100 °C  
400  
400  
Continuous forward current  
400  
400  
Surge non-repetitive forward  
current, Half Sine Wave  
IF,SM TC = 25 °C, tp = 8.3 ms  
3000  
3000  
3000  
3000  
A
Tj  
-40 to 150  
-40 to 175  
-40 to 150  
-40 to 175  
Operating temperature  
Storage temperature  
-40 to 150  
-40 to 175  
-40 to 150  
-40 to 175  
°C  
°C  
Tstg  
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified  
Conditions  
MBRT40035 (R) MBRT40040 (R)  
Parameter  
Symbol  
MBRT40020 (R) MBRT40030(R)  
Unit  
V
VF  
IR  
IF = 200 A, Tj = 25 °C  
VR = 20 V, Tj = 25 °C  
VR = 20 V, Tj = 125 °C  
0.75  
1
0.75  
1
Diode forward voltage  
Reverse current  
0.75  
1
0.75  
1
mA  
20  
20  
20  
20  
Thermal characteristics  
Thermal resistance, junction -  
case  
RthJC  
0.14  
0.14  
0.14  
0.14  
°C/W  
1
www.genesicsemi.com  
12

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