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MBRP40030CTLG

更新时间： 2024-11-05 21:20:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
5页 154K
描述
200A, 30V, SILICON, RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 357C-03, POWERTAP II, 2 PIN

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MBRP40030CTLG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, CASE 357C-03, POWERTAP II, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.41 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X2最大非重复峰值正向电流：1500 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：200 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Nickel (Ni)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MBRP40030CTLG 数据手册

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MBRP40030CTL  
Preferred Device  
POWERTAPt II  
SWITCHMODEt Power  
Rectifier  
This state-of-the-art SWITCHMODE Power Rectifier uses the  
Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal.  
http://onsemi.com  
Features  
LOW VF SCHOTTKY  
BARRIER RECTIFIER  
400 AMPERES, 30 VOLTS  
• Dual Diode Construction; May Be Paralleled for Higher Current Output  
• Guard−Ring for Stress Protection  
• Low Forward Voltage Drop  
• 150°C Operating Junction Temperature  
• Recyclable Epoxy  
1
3
• Improved Mechanical Ratings  
• Pb−Free Package is Available*  
2
Mechanical Characteristics  
• Case: Epoxy, Molded with metal heatsink base  
• Weight: 80 grams (Approximately)  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant  
• Top Terminal Torque: 25−40 lb−in Max  
2
1
POWERTAP II  
CASE 357C  
PLASTIC  
• Base Plate Torques: See procedure Given in the Package Outline Section  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
RRM  
MARKING DIAGRAM  
V
RWM  
V
30  
R
Average Rectified Forward Current  
I
A
A
A
F(AV)  
(At Rated V , T = 100°C) Per Leg  
200  
400  
R
C
MCC  
AYYWWG  
B40030L  
Per Device  
Peak Repetitive Forward Current,  
(At Rated V , Square Wave,  
I
FRM  
R
20 kHz, T = 100°C)  
200  
C
Non−Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single  
Phase, 60 Hz)  
I
1500  
FSM  
B40030L = Specific Device Code  
MCC  
A
YY  
WW  
G
= Mold Compound Code  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Pb−Free Package  
Peak Repetitive Reverse Surge  
I
A
RRM  
Current (2.0 ms, 1.0 kHz)  
2.0  
Storage Temperature Range  
T
−55 to +150  
−55 to +150  
10,000  
°C  
°C  
stg  
Operating Junction Temperature  
T
J
ORDERING INFORMATION  
Voltage Rate of Change (Rated V )  
dv/dt  
V/ms  
R
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
MBRP40030CTL  
POWERTAP II 25 Units/Tray  
MBRP40030CTLG POWERTAP II 25 Units/Tray  
(Pb−Free)  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
September, 2006 − Rev. 4  
MBRP40030CTL/D  
12345

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MBRP40030CTLG 替代型号

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