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MBRP40030CTL PDF预览

MBRP40030CTL

更新时间： 2024-11-05 04:16:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 65K
描述
POWERTAP-TM II SWITCHMODE-TM Power Rectifier

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MBRP40030CTL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, CASE 357C-03, POWERTAP II, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.74Is Samacsys：N
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.41 V
JESD-30 代码：R-PUFM-X2最大非重复峰值正向电流：1500 A
元件数量：2相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：200 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Nickel (Ni)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MBRP40030CTL 数据手册

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MBRP40030CTL  
Preferred Device  
POWERTAP II  
SWITCHMODE Power Rectifier  
The SWITCHMODE Power Rectifier uses the Schottky Barrier  
principle with a platinum barrier metal. This state-of-the-art device  
has the following features:  
http://onsemi.com  
• Dual Diode Construction –  
May Be Paralleled for Higher Current Output  
• Guardring for Stress Protection  
LOW VF SCHOTTKY  
BARRIER RECTIFIER  
400 AMPERES  
• Low Forward Voltage Drop  
• 150°C Operating Junction Temperature  
• Recyclable Epoxy  
30 VOLTS  
• Improved Mechanical Ratings  
Mechanical Characteristics  
• Case: Epoxy, Molded with metal heatsink base  
• Weight: 80 grams (approximately)  
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant  
• Top Terminal Torque: 25–40 lb–in max  
1
3
2
• Base Plate Torques: See procedure given in the  
Package Outline Section  
2
• Shipped 25 units per foam  
• Marking: B40030L  
1
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
POWERTAP II  
CASE 357C  
PLASTIC  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
V
V
RRM  
RWM  
30  
R
Average Rectified Forward Current  
I
A
A
A
F(AV)  
(At Rated V , T = 100°C) Per Leg  
200  
400  
R
C
MARKING DIAGRAM  
Per Device  
Peak Repetitive Forward Current,  
I
FRM  
YYWW  
B40030L  
(At Rated V , Square Wave,  
R
20 kHz, T = 100°C)  
200  
C
B40030L = Device Code  
Non–Repetitive Peak Surge Current  
(Surge Applied at Rated Load  
Conditions Halfwave, Single  
Phase, 60 Hz)  
I
1500  
FSM  
YY  
= Year  
WW  
= Work Week  
Peak Repetitive Reverse Surge  
Current (2.0 ms, 1.0 kHz)  
I
A
RRM  
ORDERING INFORMATION  
2.0  
Storage Temperature Range  
T
–55 to +150  
–55 to +150  
10,000  
°C  
°C  
Device  
Package  
Shipping  
25 Units/Tray  
stg  
Operating Junction Temperature  
T
J
MBRP40030CTL POWERTAP II  
Voltage Rate of Change (Rated V )  
dv/dt  
V/ms  
R
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
October, 2000 – Rev. 2  
MBRP40030CTL/D  
12345678

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MBRP40030CTL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBRP40030CTLG ONSEMI

类似代替

 200A, 30V, SILICON, RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 357C-03, POWERTAP II, 2 PIN

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