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MBRF20100D PDF预览

MBRF20100D

更新时间： 2024-02-12 23:47:58
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TSC 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 162K
描述
20.0AMPS Isolated Schottky Barrier Rectifier

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MBRF20100D 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.14
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：PURE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBRF20100D 数据手册

 浏览型号MBRF20100D的Datasheet PDF文件第2页 
creat by art  
MBRF2060D - MBRF20200D  
20.0AMPS Isolated Schottky Barrier Rectifier  
ITO-220AB  
RoHS  
Pb  
COMPLIANCE  
Features  
—
Plastic material used carries Underwriters Laboratory  
Classifications 94V-0  
—
—
—
—
—
Metal silicon junction, majority carrier conduction  
Low power loss, high efficiency  
High current capability, low forward voltage drop  
High Surge capability  
For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications  
—
—
Guarding for overvoltage protection  
High temperature soldering guaranteed: 260℃/  
10 seconds, 0.25"(6.35mm) from case  
—
Green compound with suffix "G" on packing  
code & prefix "G" on datecode  
Mechanical Data  
—
Case: ITO-220AB molded plastic body  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Marking Diagram  
—
Terminals: Pure tin plated, lead free, solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
—
—
—
—
Polarity: As marked  
MBRF20XXD = Specific Device Code  
Mounting position: Any  
Mounting torque: 5 in-lbs. Max.  
Weight: 1.7 grams  
G
= Green compound  
= Year  
Y
WW  
= Work Week  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25 ℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MBRF MBRF MBRF MBRF MBRF  
2060D 20100D 20120D 20150D 20200D  
Symbol  
Unit  
Type Number  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
60  
42  
60  
100  
70  
120  
84  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
100  
120  
Maximum Average Forward Rectified Current  
@Tc = 135℃(Total Device)  
IF(AV)  
20  
A
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave  
Superimposed on Rated Load (JEDEC method)  
IFSM  
IRRM  
150  
0.5  
A
A
Peak Repetitive Reverse Surge Current  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at (Note 1)  
IF = 10A, TA=25℃  
0.80  
0.70  
0.95  
0.85  
0.85  
0.75  
0.95  
0.85  
0.90  
0.80  
1.00  
0.90  
0.95  
0.85  
1.05  
0.95  
IF = 10A, TA=125℃  
VF  
V
IF = 20A, TA=25℃  
IF = 20A, TA=125℃  
Maximum Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage  
TA=25 ℃  
IR  
0.1  
10  
0.1  
5
0.1  
2
mA  
mA  
TA=125 ℃  
Voltage rate of change (Rated VR)  
10,000  
3.5  
dV/dt  
RθJC  
TJ  
V/uS  
OC/W  
OC  
OC  
Maximum Thermal Resistance Per Leg (Note 2)  
Operating Temperature Range  
1.5  
-65 to + 150  
-65 to + 175  
Storage Temperature Range  
TSTG  
Note1: Pulse Test : 300us Pulse Width, 1% Duty cycle  
Note2: Thermal Resistance from Junction to Case Per Leg  
Version:A11  
12

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