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MBR8045

更新时间： 2024-02-26 02:27:59
品牌 Logo 应用领域
GENESIC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 661K
描述
Silicon Power Schottky Diode

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MBR8045 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：O-MUPM-D1Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ANODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.72 V
JEDEC-95代码：DO-5JESD-30 代码：O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：1000 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：80 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：MIL-19500
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：1000 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MBR8045 数据手册

 浏览型号MBR8045的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MBR8045的Datasheet PDF文件第3页 
MBR8045 thru MBR80100R  
VRRM = 45 V - 100 V  
IF(AV) = 80 A  
Silicon Power  
Schottky Diode  
Features  
• High Surge Capability  
• Types from 45 V to 100 V VRRM  
DO-5 Package  
• Not ESD Sensitive  
C
A
C
Note:  
1. Standard polarity: Stud is cathode.  
2. Reverse polarity (R): Stud is anode.  
3. Stud is base.  
A
Stud Stud  
(R)  
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)  
Conditions  
MBR8080(R) MBR80100(R)  
Parameter  
Symbol  
MBR8045(R) MBR8060(R)  
Unit  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Tj  
80  
50  
100  
70  
Repetitive peak reverse voltage  
RMS reverse voltage  
45  
32  
60  
42  
V
V
80  
100  
DC blocking voltage  
45  
60  
V
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
Operating temperature  
Storage temperature  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
°C  
°C  
Tstg  
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified  
Conditions  
MBR8080(R) MBR80100(R)  
Parameter  
Symbol  
IF(AV)  
IFSM  
MBR8045(R) MBR8060(R)  
Unit  
A
Average forward current (per  
pkg)  
TC = 125 °C  
80  
80  
80  
80  
Peak forward surge current  
(per leg)  
tp = 8.3 ms, half sine  
IFM = 80 A, Tj = 25 °C  
1000  
0.75  
1000  
0.78  
1000  
0.84  
1000  
0.84  
A
Maximum forward voltage  
(per leg)  
VF  
V
Tj = 25 °C  
Tj = 100 °C  
Tj = 150 °C  
1
1
1
1
Maximum instantaneous  
reverse current at rated DC  
blocking voltage (per leg)  
IR  
10  
20  
10  
20  
mA  
10  
20  
10  
20  
Thermal characteristics  
Thermal resistance, junction-  
case (per leg)  
RΘJC  
0.50  
30  
0.50  
30  
0.50  
30  
0.50  
30  
°C/W  
Inch ponds  
(in-pb)  
Mounting torque  
1
Oct. 2018  
http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/mbr8045.pdf  
123

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MBR8045 替代型号

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