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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-MUPM-D1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.72 V |
| JEDEC-95代码： | DO-5 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1000 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 80 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 参考标准： | MIL-19500 |
| 最大重复峰值反向电压： | 45 V | 最大反向电流： | 1000 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MBR8060 | TRSYS |
获取价格 |
SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 80 A |
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| MBR8060 | MICROSEMI |
获取价格 |
80 Amp Schottky Rectifier |
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| MBR8060 | NAINA |
获取价格 |
Schottky Power Diode, 80A |
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| MBR8060 | GENESIC |
获取价格 |
Silicon Power Schottky Diode |
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| MBR8060 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Schottky 60V 80A 2-Pin DO-5 |
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| MBR8060E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 80A, 60V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1 |
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| MBR8060R | NAINA |
获取价格 |
Schottky Power Diode, 80A |
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| MBR8060R | TRSYS |
获取价格 |
SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 80 A |
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| MBR8060R | GENESIC |
获取价格 |
Silicon Power Schottky Diode |
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| MBR8060R | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Schottky 60V 80A 2-Pin DO-5 |
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