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MBR6030PT PDF预览

MBR6030PT

更新时间： 2024-02-03 16:55:25
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
2页 128K
描述
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。

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MBR6030PT 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：O-MUPM-D1Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.54Is Samacsys：N
应用：POWER外壳连接：ANODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.65 V
JEDEC-95代码：DO-203ABJESD-30 代码：O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流：700 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：60 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向电流：5000 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

MBR6030PT 数据手册

 浏览型号MBR6030PT的Datasheet PDF文件第2页 
MBR6030PT thru MBR6045PT  
Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers  
Dim.  
Millimeter  
Min. Max. Min.  
Inches  
Max.  
Dimensions TO-247AD  
A
C
A
A
B
19.81 20.32 0.780 0.800  
20.80 21.46 0.819 0.845  
A
C
A
C(TAB)  
C
D
15.75 16.26 0.610 0.640  
3.55 3.65 0.140 0.144  
E
F
4.32 5.49 0.170 0.216  
A=Anode, C=Cathode, TAB=Cathode  
5.4  
6.2 0.212 0.244  
VRRM  
V
VRMS  
V
VDC  
V
G
H
1.65 2.13 0.065 0.084  
-
4.5  
-
0.177  
MBR6030PT  
MBR6035PT  
MBR6040PT  
MBR6045PT  
30  
21  
30  
35  
40  
45  
J
K
1.0  
1.4 0.040 0.055  
10.8 11.0 0.426 0.433  
35  
24.5  
28  
L
M
4.7  
0.4  
5.3 0.185 0.209  
0.8 0.016 0.031  
40  
45  
31.5  
N
1.5 2.49 0.087 0.102  
Symbol  
Characteristics  
Maximum Ratings  
Unit  
I(AV)  
Maximum Average Forward Rectified Current @TC=125oC  
60  
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half-Sine-Wave  
Superimposed On Rated Load (JEDEC METHOD)  
IFSM  
500  
A
IF=30A @TJ=25oC  
Maximum Forward  
0.62  
0.55  
0.75  
VF  
IR  
IF=30A @TJ=125oC  
V
Voltage (Note 1)  
IF=60A @TJ=25oC  
Maximum DC Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ=25oC  
1.0  
50  
mA  
@TJ=100oC  
1.0  
oC/W  
pF  
oC  
ROJC  
CJ  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note 3)  
Operating Temperature Range  
700  
-55 to +150  
-55 to +175  
TJ  
TSTG  
Storage Temperature Range  
oC  
NOTES: 1. 300us Pulse Width, Duty Cycle 2%.  
2. Thermal Resistance Junction To Case.  
3. Measured At 1.0MHz And Applied Reverse Voltage Of 4.0V DC.  
FEATURES  
MECHANICAL DATA  
* Metal of silicon rectifier, majority carrier conducton  
* Guard ring for transient protection  
* Low power loss, high efficiency  
* Case: TO-247AD molded plastic  
* Polarity: As marked on the body  
* Weight: 0.2 ounces, 5.6 grams  
* Mounting position: Any  
* High current capability, low VF  
* High surge capacity  
* Plastic package has UL flammability classification 94V-0  
* For use in low voltage, high frequency inverters, free  
whelling, and polarity protection applications  
12

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