MBR6040PT

更新时间： 2024-01-07 16:06:32

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60A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBR6040PT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-247S, TO-3PS, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	400 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	60 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MBR6040PT 数据手册

MBR6030PT - MBR6045PT

60A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Capability

High Current Capability and Low Forward

Voltage Drop

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Application

Plastic Material: UL Flammability

Classification Rating 94V-0

TO-3P

Dim

Min

3.20

Max

3.50

4.59

5.16

20.80

19.70

2.10

21.30

20.20

2.40

0.51

0.76

15.90

1.70

16.40

2.70

*2 Places

3.10Æ

3.50

3.30Æ

4.51

Mechanical Data

5.20

5.70

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

1.12

1.22

1.93

2.18

Polarity: As Marked on Body

Weight: 5.6 grams (approx.)

Mounting Position: Any

2.97

3.22

11.70

12.80

4.30 Typical

Marking: Type Number

All Dimensions in mm

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

MBR

6030PT

MBR

6035PT

MBR

6040PT

MBR

6045PT

Characteristic

Symbol

Unit

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V_R(RMS)

RMS Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

@ T_C= 125°C

I_O

(Note 1)

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

I_FSM

500

Forward Voltage Drop

@ I_F= 30A, T_C

= 25°C

0.62

0.55

0.75

V_FM

@ I_F= 30A, T_C= 125°C

@ I_F= 60A, T_C

@ T_C

25°C

Peak Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

1.0

I_RM

@ T_C= 100°C

C_j

Typical Junction Capacitance (Note 2)

650

1.0

K/W

°C

R_qJc

Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

T_j,T_STG

-55 to +150

Notes:

1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.

2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

DS30053 Rev. B-2

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