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MBR30H100CTF-E1

更新时间: 2024-02-04 03:42:03
品牌 Logo 应用领域
BCDSEMI 高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
11页 939K
描述
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER

MBR30H100CTF-E1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:TO-220F, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.69其他特性:LOW NOISE
应用:HIGH VOLTAGE外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.67 V
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
最大输出电流:15 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:100 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

MBR30H100CTF-E1 数据手册

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Data Sheet  
HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MBR30H100C  
Electrical Characteristics (Each Diode Leg)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
IF=15A, TC=25oC  
Value  
Unit  
0.80  
0.67  
0.93  
0.80  
IF=15A, TC=125oC  
Maximum Instantaneous Forward  
Voltage Drop (Note 3)  
VF  
V
IF=30A, TC=25oC  
IF=30A, TC=125oC  
Rated DC Voltage, TC=125oC  
6.0  
Maximum Instantaneous Reverse  
Current (Note 3)  
IR  
mA  
Rated DC Voltage, TC=25oC  
0.0045  
Note 3: Pulse Test: Pulse Width=300µs, Duty Cycle2.0%.  
Mar. 2011 Rev. 1. 4  
BCD Semiconductor Manufacturing Limited  
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