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MBR30H100PT-E3

更新时间： 2024-01-31 19:40:28
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 321K
描述
DIODE 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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MBR30H100PT-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AD
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.64
Is Samacsys：N其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：265 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

MBR30H100PT-E3 数据手册

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MBR30H90PT & MBR30H100PT  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier  
High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
• Lower power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
3
• High forward surge capability  
2
1
• High frequency operation  
TO-247AD (TO-3P)  
PIN 2  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
PIN 1  
PIN 3  
CASE  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectifier of switching mode  
power supplies, freewheeling diodes, dc-to-dc  
converters or polarity protection application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
15 A x 2  
90 V, 100 V  
265 A  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-247AD (TO-3P)  
0.67 V  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
IR  
5.0 µA  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
TJ max.  
175 °C  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
MBR30H90PT  
MBR30H100PT  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
90  
90  
90  
100  
100  
100  
V
V
V
total device  
per diode  
30  
15  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
IRRM  
EAS  
265  
1.0  
7.5  
A
A
Peak repetitive reverse surge current at tp = 2 µs, f = 1 kHz  
per diode  
Non-repetitive avalanche energy (IAS = 0.5 A, L = 60 mH)  
per diode  
mJ  
Voltage rate of change at (rated VR)  
dV/dt  
10 000  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Document Number: 88678  
Revision: 25-Mar-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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与MBR30H100PT-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR30H100PT-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-3P, 3 P
MBR30H100PT-E3/450 VISHAY

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 		Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
MBR30H100PT-E3/4W VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, TO-247AD, TO-3P,
MBR30H10PT VISHAY

获取价格

 		Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier
MBR30H150C RECTRON

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBR30H150CA-C RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
MBR30H150C-C RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode,
MBR30H150CT VISHAY

获取价格

 		Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
MBR30H150CT KERSEMI

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 		Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0
MBR30H150CT MICROSEMI

获取价格

 		30 AMP SCHOTTKY RECTIFIERS

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