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MBR3050PT-B

更新时间: 2024-02-13 06:52:18
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美台 - DIODES 局域网二极管
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1页 62K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, Silicon,

MBR3050PT-B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.2
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.75 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:15 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大反向电流:5000 µA表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

MBR3050PT-B 数据手册

  

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