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MBR30200CT

更新时间: 2024-01-18 14:36:09
品牌 Logo 应用领域
ASEMI 半导体二极管IOT
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5页 287K
描述
28纳米半导体封装工艺ASEMI-MBR30200CT-MBR302000FCT上传者:dd

MBR30200CT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.62其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.05 V
JEDEC-95代码:TO-247ADJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:150 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向电流:1000 µA
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MBR30200CT 数据手册

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品质好,稳定性高,价格实惠,性价比高。  
肖特基二极管 MBR30150FCT 采用俄罗斯进口晶圆-Mikron 芯片,  
具有高抗冲击能力性能稳定信赖度极佳品都是已通  
过 SGS、均符合欧盟 ROHS 认证产品,美国 UL 认证。台产原装  
“ASEMI”品牌 MBR3015FCT,广泛用于开关电源做整流二极管,  
逆变电路做续流压吸收二极管为高频整流二极管流  
二极管或阻尼二极管使用。  

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